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CSD23280F3
| 品牌： | TI |
| 型号： | CSD23280F3 |
| 封装： | PICOSTAR-3 |
| 批号： | 2122+ |
| 数量： | 22060 |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | PICOSTAR-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 12 V |
| Id-连续漏极电流： | 1.8 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 250 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 6 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 950 mV |
| Qg-栅极电荷： | 950 pC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 500 mW (1/2 W) |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 0.35 mm |
| 长度： | 0.73 mm |
| 系列： | CSD23280F3 |
| 晶体管类型： | 1 P-Channel |
| 宽度： | 0.64 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 3 S |
| 下降时间： | 8 ns |
| 上升时间： | 4 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 21 ns |
| 典型接通延迟时间： | 8 ns |
| 单位重量： | 0.300 mg |
