4000-969-680
当前位置： 主页 > 资讯中心 > 型号参数 » BQ4013YMA-85非挥发性1048576位静态RAM-型号参数
BQ4013YMA-85
| 品牌： | TI |
| 型号： | BQ4013YMA-85 |
| 封装： | 32-DIP |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 16000 |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 （MSL）： | 1（无限） |
| 类别： | 集成电路（IC） |
| 产品族： | 存储器 |
| 存储器类型： | 非易失 |
| 存储器格式： | NVSRAM |
| 存储容量： | 1Mb （128K x 8） |
| 存储器接口： | 并联 |
| 写周期时间 - 字，页： | 85ns |
| 访问时间： | 85ns |
| 电压 - 电源： | 4.5V ~ 5.5V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C（TA） |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 32-DIP 模块（0.61"，15.49mm） |
CMOSbg4013/Y/LY是一个非挥发性1048576位静态RAM，由131072个字乘8位组成。集成控制电路和锂能源提供了可靠的非易失性，与标准SRAM的无限写入周期相耦合
控制电路持续监测单个电源是否存在超差情况。当Vcc超出公差时，SRAM无条件地受到写保护，以防止意外的写操作。此时，积分能源被切换到维持存储器，直到Vcc返回有效。bg4013/Y/LY使用极低的备用电流CMOS SRAM，与小的锂币单元耦合，以提供非易失性，而没有长的写入周期时间和与EEPROM相关的写入周期限制。bg4013/Y/LY不需要外部电路，并且与行业标准1-Mb SRAM输出兼容
