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CSD17577Q3A
| 品牌： | TI/德州仪器 |
| 型号： | CSD17577Q3A |
| 封装： | 贴片 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 50000 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 系列： | NexFET™ |
| FET 类型： | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 35A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 4.8 毫欧 @ 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： | 1.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： | 35 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）： | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 2310 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值）： | 2.8W（Ta），53W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
1、特点
低Q和Qgd
低热阻
雪崩额定值
无铅
符合RoHS
卤素FreeSON 3.3 mm x 3.3 mm包装
2、应用程序
网络、电信和计算系统中的负载点同步降压优化控制和同步FET应用
3、说明
这款30 V、4.0 mQ、SON 3.3 mm x 3.3 mmNexFETT功率MOSFET旨在将功率转换应用中的电阻降至最低。
