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CSD17551Q3A
| 品牌： | TI |
| 型号： | CSD17551Q3A |
| 封装： | VSON-8 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 6000 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 系列： | NexFET™ |
| FET 类型： | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 30 V |
| Vgs（最大值）： | ±20V |
| 功率耗散（最大值）： | 2.6W（Ta） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
1、特点
2、应用程序
网络、电信和计算系统中的负载点同步降压优化控制FET应用
3、说明这款30 V、7.8 mQ、3.3 mm x 3.3 mm NexFETTM功率MOSFET旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。
