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CSD16570Q5B
1特点
1•低RDS（ON）
•低热阻
•雪崩等级
•逻辑电平
•无铅端子电镀
•符合RoHS
•无卤素
•SON 5-mm×6-mm塑料包装
2应用程序
•DC-DC转换
•二次侧同步整流器
•电池电机控制
3说明
此40 V，1.9 mΩ，SON 5×6 mm NexFET™ 功率MOSFET被设计为将功率转换应用中的损耗最小化。
