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CSD18511Q5AT
| 品牌： | TI |
| 型号： | CSD18511Q5AT |
| 封装： | VSONP-8 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 39200 |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | VSONP-8 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 40 V |
| Id-连续漏极电流： | 100 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 2.7 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.5 V |
| Qg-栅极电荷： | 82 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 104 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商标名： | NexFET |
| 系列： | CSD18511Q5A |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 商标： | Texas Instruments |
| 正向跨导 - 最小值： | 5.2 S |
| 下降时间： | 5 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 15 ns |
| 工厂包装数量： | 250 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 24 ns |
| 典型接通延迟时间： | 6 ns |
| 单位重量： | 86.200 mg |
1特点
1•低RDS（ON）
•低热阻
•雪崩等级
•逻辑电平
•无铅端子电镀
•符合RoHS
•无卤素
•SON 5-mm×6-mm塑料包装
2应用程序
•DC-DC转换
•二次侧同步整流器
•电池电机控制
3说明
此40 V，1.9 mΩ，SON 5×6 mm NexFET™ 功率MOSFET被设计为将功率转换应用中的损耗最小化。
