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UCC27201DRMR
品牌: | TI/德州仪器 |
型号: | UCC27201DRMR |
封装: | 贴片 |
批号: | 21+ |
数量: | 50000 |
类别: | 集成电路(IC) PMIC - 栅极驱动器 |
制造商: | Texas Instruments |
驱动配置: | 半桥 |
通道类型: | 独立式 |
驱动器数: | 2 |
栅极类型: | N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电: | 8V ~ 17V |
逻辑电压 - VIL,VIH: | 0.8V,2.5V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出): | 3A,3A |
输入类型: | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举): | 120 V |
上升/下降时间(典型值): | 8ns,7ns |
工作温度: | -40°C ~ 140°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-VDFN 裸露焊盘 |
UCC2720x系列高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V自举二极管,以及具有独立输入的高端和低端驱动器,以实现最大的控制灵活性。这允许N沟道MOSFET在半桥、全桥、两个开关有源钳位正向控制中进行控制。低侧和高侧门极转换器。驱动器被独立控制,并与彼此的导通和关断之间的N相匹配。
片上自举二极管消除了外部自举二极管。如果驱动电压低于指定阈值,则为高压侧和低压侧驱动器提供欠压锁定,迫使输出变低。提供了两种版本的UCC27200。UCC27200具有高噪声免疫CMos输入阈值,而UCC27201具有TTL兼容阈值。